晶体管 Tr ：

晶体管 Tr 又称双载子接面晶体，有NPN及PNP两种，在使用上完全相反，但其工作原理均是用电流大小来控制基极(B)而使集极(C)与射极(E)工作。基本上晶体管可视为两个二极管的背接(但实际制造并非如此)。

 工作原理也很容易，就是B极电流愈大，其流经C极的电流就愈大，直到晶体管为饱和状态，公式如下：

Ic = IB×hfe

Ic：流经C极(集极)电流

 IB：流经B极(基极)电流

hfe：电流放大倍数

◎晶体管的分压与分流：

在饱和状态下，VCE很小约0.2V，其VBE为切入电压0.7V (因B与E有一PN接面)。

在截止状态下，VCE很大，约为供应电压，其VBE小于切入电压，而在工作区中(线性区)，一般汽车电子不用此一特性区，此区大部份为小讯号放大用，如音响，微弱信号真实放大等，唯有在速度控制(如冷气风速大小等)才用到此一特性，利用IB大小来控制IC大小，此时hfe就很重要。